Noticias de negocios Nov 21, 2024 IDOPRESS

Samsung inaugura centro de investigación de semiconductores

La compañía surcoreana invirtió un récord de 8.87 billones de KRW en I+D en el tercer trimestre de este año.

La compañía surcoreana invirtió un récord de 8.87 billones de KRW en I+D en el tercer trimestre de este año.

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Samsung Electronics inauguró su nuevo complejo de investigación y desarrollo de semiconductores (NRD-K) en su campus de Giheung,Corea del Sur.

El nuevo complejo NRD-K comenzó a construirse en 2022 y se convertirá en una base de investigación clave para investigación y desarrollo (I+D) de memorias,sistemas Large Scale Integration (LSI) y semiconductores.

La compañía dijo que planea invertir alrededor de 20 billones de wones para 2030 en el complejo en un área que cubre aproximadamente 109 mil metros cuadrados dentro de su campus de Giheung. El espacio también incluirá una línea dedicada a I+D que está programada para comenzar a operar a mediados de 2025.

“NRD-K impulsará nuestra velocidad de desarrollo,lo que permitirá a la empresa crear un círculo virtuoso para acelerar la investigación fundamental sobre tecnología de próxima generación y la producción en masa.

“Estableceremos las bases para un nuevo salto adelante en Giheung,donde comenzó la historia de 50 años de semiconductores de Samsung Electronics,y crearemos un nuevo futuro para los próximos 100 años”,afirmó Young Hyun Jun,vicepresidente y director de la División de Soluciones para Dispositivos de Samsung Electronics.

El campus de Samsung en Giheung,ubicado al sur de Seúl,es el lugar donde se creó la primera memoria DRAM de 64 megabits (Mb) del mundo en 1992. La creación de la nueva instalación de I+D marcará el comienzo de los últimos avances en tecnología de procesos y herramientas de fabricación,ampliando el legado de la planta a la vanguardia de la innovación.

Samsung dijo que el NRD-K se equipará con litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta apertura numérica y nuevos equipos de deposición de materiales destinados a acelerar el desarrollo de semiconductores de memoria de próxima generación,como 3D DRAM y V-NAND con más de mil capas. También está previsto el acoplamiento de una infraestructura de unión de obleas con innovadoras capacidades de unión de obleas.

La compañía surcoreana invirtió un récord de 8.87 billones de KRW en I+D en el tercer trimestre de este año.

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